Electrónica Avanzada: Conceptos Clave en Dispositivos Semiconductores
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- ( V ) En saturación ambas uniones *pn* están polarizadas en directa y la corriente en el colector es máxima.
- ( F ) Si se aumenta mucho el valor de la tensión VDS, la anchura del canal cerca del drenador se estrecha considerablemente, disminuyendo la resistividad del canal.
- ( V ) El JFET siempre opera con una unión *pn* de compuerta a fuente polarizada en inversa.
- ( V ) La polarización inversa del dispositivo semiconductor produce un aumento del ancho de la zona de carga espacial, aumentando la carga, lo cual equivale a un efecto de capacidad.
- ( F ) Un diodo polarizado en directa opera normalmente entre 0V y el voltaje de ruptura.
- ( F ) Un amplificador en EC tiene buenas ganancias de tensión, corriente y potencia, pero una resistencia de entrada relativamente alta.
- ( V ) La resistencia de entrada de un amplificador en GC es muy baja.
- ( F ) El fotodiodo es un dispositivo que opera con polarización en inversa.
- ( V ) Un D-MOSFET tiene un canal físico y un E-MOSFET tiene un canal inducido.
- ( F ) El diodo Zener normalmente opera en la condición de ruptura en inversa.
- ( V ) Un amplificador en SC que utiliza un D-MOSFET puede operar tanto con tensión de entrada positiva como negativa.
- ( F ) El BJT es un transistor de unión bipolar.
- ( F ) Una unión *pn* está polarizada en directa si la caída de tensión entre el terminal de ánodo y el del cátodo es positiva.
- ( V ) Se denomina carga activa cuando el transistor cumple la función de resistencia.
- ( F ) En un transistor, el emisor está muy dopado.
- ( F ) La barrera de potencial de la juntura BE disminuye a causa de la polarización directa, mientras que la juntura CB aumenta por la polarización inversa.
- ( F ) El funcionamiento de los FET se basa en el control de la corriente mediante un campo eléctrico.
- ( V ) La zona de deplexión es más pronunciada a mayor distancia de la fuente.
- ( F ) Un material semiconductor está en equilibrio cuando no hay campo eléctrico o voltaje externo aplicado.
- ( V ) Cuando el transistor MOS se usa como amplificador, se le suele polarizar en la zona de saturación.
- ( F ) En la zona de trabajo inversa se aplica un potencial en inversa en la juntura BC y directa en la BE.
- ( F ) El circuito amplificador necesita estar alimentado con algún generador de tensión o corriente.
- ( V ) Un elemento discreto es aquel que se puede extraer del resto del circuito y ser sustituido por otro.
- ( F ) El transistor BJT se usa fundamentalmente en circuitos discretos.
- ( F ) La corriente en los transistores BJT depende del flujo de portadores mayoritarios y minoritarios.
- ( V ) No toda la tensión de la fuente de señal se aplica a la entrada del amplificador debido a Rs, ni toda la tensión producida por la fuente controlada aparece en los bornes de la carga, debido a Ro.