Cuestionario de Física: Electricidad, Magnetismo y Semiconductores

Electricidad

1. a) El campo eléctrico en el interior de un dieléctrico es inferior al que habría en el vacío en esa región del espacio. (V)
2. b) El potencial eléctrico en los alrededores de una carga positiva es un vector dirigido radialmente hacia afuera. (F)
3. c) La energía potencial eléctrica de una carga positiva es siempre positiva y la de una carga negativa es siempre negativa. (F)
4. d) El campo eléctrico en el interior de un conductor es cero salvo cuando el conductor tiene una carga eléctrica diferente de cero. (F)

Circuitos Eléctricos

1. a) La combinación de dos resistencias en paralelo, R₁ y R₂, da como resultado una resistencia equivalente R_T que es menor que la más pequeña de las dos. (V)
2. b) La capacidad equivalente de dos condensadores C₁ y C₂ conectados en serie es siempre mayor que la capacidad del condensador mayor. (F)
3. c) En un conductor cilíndrico, si se duplica el radio del conductor, la resistencia que presenta al paso de la corriente se reduce a la mitad. (F)
4. d) La resistividad es una magnitud que se mide en Ω/m. (F)
5. e) Dos condensadores de capacidades 1nF y 2nF conectados en serie almacenan la misma carga eléctrica. (V)

Magnetismo

1. a) La inducción electromagnética es un fenómeno que establece cómo las corrientes eléctricas variables generan campos magnéticos. (F)
2. b) Las corrientes eléctricas solo generan campos magnéticos si la intensidad de corriente varía con el tiempo. (F)
3. c) Sabiendo que el campo magnético terrestre va dirigido en dirección Sur-Norte, si un hilo rectilíneo por el que circula una corriente I se dispone en la dirección Este-Oeste, sobre él aparece una fuerza magnética dirigida hacia arriba. (F)
4. d) Una bobina o autoinducción situada en un circuito siempre se opone al paso de la corriente eléctrica, por lo que hace que la intensidad de corriente sea menor que la que habría si no estuviese colocada en el circuito. (F)
5. e) Si en una bobina aumentamos el número de vueltas, N, al doble, la autoinductancia de la bobina se hace doble. (F)

Circuitos de Corriente Alterna (CA)

1. a) En un circuito RC serie en CA, la intensidad de corriente va adelantada respecto a la tensión. (V)
2. b) Cualquier elemento en un circuito de CA disipa una potencia neta positiva. (F)
3. c) La reactancia de un condensador es igual a su capacidad. (F)
4. d) La reactancia es una magnitud compleja, con parte real y parte imaginaria. (F)
5. e) El módulo de la impedancia de un circuito RL serie aumenta con la frecuencia. (V)
6. f) En un circuito LC serie, el módulo de la impedancia vale cero para la frecuencia de resonancia. (V)

Ondas Electromagnéticas

1. a) La longitud de una antena debe ser tanto mayor cuanto mayor sea la frecuencia de la señal a transmitir. (F)
2. b) En el vacío, las ondas electromagnéticas de frecuencias bajas se propagan más lentamente que las de frecuencias altas. (F)
3. c) En un medio dieléctrico, las ondas EM de frecuencias altas se propagan más lentamente que las de frecuencias bajas. (F)
4. d) Cuando por un conductor cilíndrico se hace circular una corriente a una frecuencia alta, la intensidad de corriente se concentra en la parte central del conductor. (F)
5. e) Una señal digital permite eliminar el ruido más fácilmente que una señal analógica. (V)
6. f) La resistencia que presenta un cable al paso de una corriente eléctrica es mayor a frecuencias mayores. (V)
7. g) El ancho de banda de un canal de comunicaciones aumenta con la frecuencia de la señal portadora. (V)
8. h) La intensidad de una onda electromagnética se reduce con la distancia a la fuente de forma que si la distancia se duplica, la intensidad se reduce a la mitad. (F)

Semiconductores

1. a) El hecho de que un material se comporte como aislante, conductor o semiconductor viene determinado por su estructura de bandas. (V)
2. b) Cualquier puerta lógica puede construirse exclusivamente con diodos o exclusivamente con transistores. (F)
3. c) En un semiconductor tipo p, los portadores mayoritarios son los huecos dejados en la banda de valencia por los electrones. (V)
4. d) En un transistor bipolar de unión, la ganancia de la zona activa y la zona inversa son siempre las mismas. (F)
5. e) En un semiconductor intrínseco existen estados entre la banda de valencia y la banda de conducción asociados a las impurezas. (F)
6. f) Un semiconductor tipo n se consigue dopando un semiconductor intrínseco con impurezas que aporten menos de 4 electrones de valencia, como el B. (F)
7. g) En un transistor bipolar de unión, la región activa es aquella en la que la intensidad de corriente en el colector es proporcional a la intensidad de corriente en la base. (V)
8. h) El potencial Zener es el valor de la diferencia de potencial que hay que suministrar a un diodo para que conduzca la corriente en polarización directa. (F)
9. i) El potencial de contacto es la anchura de la banda prohibida (entre las de valencia y conducción) en un semiconductor. (F)
10. j) En un transistor bipolar de unión, la región activa viene determinada por una diferencia de tensión entre el colector y el emisor muy pequeña. (F)
11. k) En un transistor bipolar de unión, la intensidad de corriente entre el colector y el emisor puede ser diferente de cero aunque la intensidad de la base sea cero. (F)
12. l) Un semiconductor a temperatura cero (T = 0K) se comporta como un conductor perfecto. (F)