+cuales son las desventajas de la memoria RAM

Densidad de bit:

Es el número de bits almacenados por unidad de  superficie.

Capacidad total:

Es el número total de bits que puede almacenar  una memoria.
La capacidad de suele darse según el número de  posiciones de memoria expresado en kilobytes (1 kB = 1.024 bits) por el número de bíts de cada posición de memoria. Así una memoria de 2 K x 8, posee una capacidad total de 16.384 bits

. Velocidad

Es la rapidez que tiene una memoria para acceder a los datos y leerlos o escribirlos. El tiempo de acceso es el necesario para seleccionar una posición y sacar o grabar un dato.

Volatilidad

Se dice que una memoria es volátil cuando al desconectar su alimentación pierde la información que contiene, y se dice no volátil en caso contrario. 

Potencia

Es la disipada por la  memoria

Memorias activas:

Son aquellas en las que los tiempos de escritura y los de lectura son del mismo orden de magnitud. En general los fabricantes de circuitos integrados suelen darle el nombre de memorias de acceso aleatorio (RAM).
Las memorias RAM son circuitos integrados en los que se pueden escribir y leer datos. Según que el elemento utilizado para almacenar los bits sea un biestable o un condensador, se clasifican en estáticas (SRAM) y en dinámicas (DRAM) respectivamente. Por otro lado, de acuerdo con la tecnología de fabricación que se emplee, se pueden dividir en bipolares y MOS.

Memorias activas de escritura y lectura no simultáneas:

Son aquellas en las que sólo se puede seleccionar en cada instante una posición de memoria para realizar una operación de lectura o escritura en ella. Pueden ser estáticas (SRAM) o dinámicas (DRAM). 

Memorias activas de escritura y lectura simultáneas (Read while write memories

Este tipo de memo posee dos grupos de entradas de selección: uno permite seleccionar la  posición de memoria que se desea leer y el otro la posición que se desea escribir. Con ello se logra que ambas operaciones se puedan realizar por medio de sistemas independientes y simultáneamente. 

Memorias activas de acceso múltiple (Multiport memories or simultaneous access memories

Estas memorias se caracterizan porque permiten la realización de acciones de lectura, escritura o ambas en más de una posición simultáneamente. Pueden ser de acceso múltiple en la lectura, en la escritura o en ambas, y las más usuales son las de acceso doble.

Memorias pasivas

Son aquellas en las que el tiempo de escritura es mucho mayor que el de lectura. Una de sus carácterísticas principales es que no son volátiles, es decir, mantienen la información aunque deje de aplicarse la tensión de alimentación. Ello las hace idóneas como generadores de funciones lógicas complejas o para almacenamiento de las instrucciones de un ordenador o de un autómata programable.

Memorias totalmente pasivas (ROM

Son aquellas que sólo pueden ser leídas por el usuario. La grabación o escritura la realiza el fabricante. Esta memoria es ideal para almacenar las rutinas básicas a nivel de hardware, por ejemplo, el programa de inicialización de arranque de un sistema programado.

Memorias pasivas programables (PROM

Son aquellas cuyo contenido puede ser escrito por el usuario una sola vez. Como veemos con más detalla más adelante, este tipo de circuitos consiste en una matriz de elementos que actúan como fusibles que pueden o no fundirse, según convenga, en el proceso de grabación. Dicho proceso se realiza con una máquina especial llamada programador de PROM o quemador de PROM, para fundir los fusibles uno por uno según las necesidades del software que se va a codificar en el chip. Este proceso se conoce normalmente como el “quemado” de la PROM.

Memorias borrables con rayos ultravioleta (EPROM

Estas memorias se graban mediante impulsos eléctricos cuyo nivel de tensión es, en general, mayor que el de los normales de operación del circuito. Las modernas grabadoras de EPROM son sistemas basados en microprocesador que permiten la grabación de múltiples tipos de chips. También existen en el mercado tarjetas que se conectan al PC y permiten la grabación de EPROM's mediante ordenador. El borrado se realiza mediante rayos ultravioleta antes de la grabación; para ello el circuito integrado posee una zona transparente que permite el paso a los citados rayos. 

Memorias pasivas reprogramables borrables eléctricamente (EEPROM)

La información contenida en una memoria EPROM no puede mortificarse mientras está en el circuito. En las aplicaciones en las que dicha modificación sea interesante, deberá utilizarse una EEPROM. Al igual que la EPROM, la principal aplicación de las memorias EEPROM es la de formar parte, junto con las memorias activas (RAM) y pasivas (EPROM), de la memoria de un microprocesador, para almacenar tablas modificables por el propio sistema.

Memorias borrables eléctricamente en su totalidad (Flash Memories

El que las memorias EEPROM tengan una  densidad de bit mucho menor que el de las EPROM, ha impedido su utilización generalizada como memoria de programa. Por otro lado, el desarrollo de la microelectrónica trajo consigo  la necesidad de disponer de sistemas basados en microprocesador cuyo programa pueda ser modificado periódicamente. Todo ello dio lugar al desarrollo de las memorias tipo flash, con densidades de bit similares a las de la EPROM y borrables eléctricamente en su totalidad.